EverSpin推動MRAM芯片的發(fā)展
來源：宇芯有限公司 日期：2018-01-08 16:43:16
目前EverSpin已簽訂了芯片制造商的全球代理工廠協(xié)議，作為其下一代MRAM（磁阻RAM）的內存芯片制造合作伙伴，應扶持優(yōu)秀的技術走向大規(guī)模生產。MRAM是一種新興的存儲技術，能夠媲美SRAM的快速存儲技術的速度，它在執(zhí)行相同的功能前提下可以超越閃存芯片以及DRAM的響應速度。存儲芯片行業(yè)未來將大量使用該技術。
MRAM適用于各種各樣的環(huán)境下，如計算機、工業(yè)設備和近場通信（NFC）技術。在企業(yè)數(shù)據(jù)中心中使用MRAM可以減少系統(tǒng)停機時間，并簡化系統(tǒng)設計，降低整體的成本。MRAM設備還省去了外部元件，如電容器、電阻器、電池和超級電容器的加載。
EverSpin的總裁兼首席執(zhí)行官菲爾洛普雷斯蒂表示，新的內存技術已經(jīng)獲得進入市場的資格和業(yè)界認可。他還表示通過研究和開發(fā)，我們正在獲得更精細的制作工藝，這將幫助我們加速部署MRAM的發(fā)展。
全球鑄造廠將投入生產技術，初步使ST-MRAM（自旋轉矩MRAM）上一個40納米生產線300毫米晶圓的芯片。納米測量指的是可以由設備來生產，并且生產線的復雜性的指示的最小特征。同時開始在40納米，MRAM制造交易已經(jīng)有了一個計劃，切換到28納米線，這將會生產出尺寸更小，更節(jié)能的芯片。
關鍵詞：
EverSpin MRAM
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