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何為MRAM？
MRAM是一種非易失性的磁阻式隨機存取存儲器，是一種基于隧穿磁阻效應(yīng)的技術(shù)，屬于當(dāng)前新型存儲器技術(shù)之一。 從特性上看，MRAM具備讀寫
2024-05-29
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靈動微電機高集成單片機MM32SPIN560CM
靈動微電子MM32SPIN560CM集成100V耐壓6N預(yù)驅(qū)，通過AEC-Q100認證，使用高性能的Arm®Cortex-M0為內(nèi)核的32位微控制器，最高工作頻率可
2024-05-10
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靈動微【新品預(yù)告】MM32SPIN060G(四線燒錄)
靈動微電子新品MM32SPIN060G是靈動MindSPIN旗下高性能的單電機控制SOC產(chǎn)品，采用Cortex-M0內(nèi)核，集成100V三相N溝道柵極驅(qū)動器。- 存儲及運
2024-04-25
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8/16升級32位單片機MM32G0001
封裝形式TSSOP20, QFN20SOP8（與8 16位MCU的多種封裝電源 地兼容）其他 20pin 以下的封裝，聯(lián)系宇芯電子MM32G0001主要特點48 MHz M0,
2024-04-15
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2024年2月全球半導(dǎo)體銷售額同比增長16.3%
據(jù)美國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會（SIA）本月早些時候發(fā)布數(shù)據(jù)顯示， 2月全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)銷售額總計462億美元，創(chuàng)2022年5月以來、近23個月單月最大
2024-04-10
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FRAM的讀寫操作
FRAM保存數(shù)據(jù)不是通過電容上的電荷，而是由存儲單元電容中鐵電晶體的中心原子位置進行記錄。直接對中心原子的位置進行檢測是不能實現(xiàn)的
2024-03-15
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